Engenheiro eletrônico

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01

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(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - As alternativas a seguir apresentam vocábulos (retirados do texto) que contêm, respectivamente: um hiato, um encontro consonantal e um dígrafo, à exceção de

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14134Ca
02

(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - As alternativas seguintes se referem às ondas eletromagnéticas. Apenas uma das alternativas abaixo está incorreta:

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14150Ca
03

(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - Sobre a polarização de um transistor bipolar NPN de silício, como amplificador, podemos afirmar que:

I. Para funcionar como amplificador classe B o ponto quiescente deve ser fixado no centro da região linear das curvas características de saída.

II. Para funcionar como amplificador classe C o ponto quiescente deve ser fixado dentro da região de corte das curvas características de saída.

III. Fixando o ponto quiescente na região de corte das curvas características de saída, o transistor só pode funcionar como chave (modo digital).

IV. A polarização em classe B tem o inconveniente de gerar distorção de transição, conhecida como “cross-over”.

Quais estão corretas?

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14145Ca
04

(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - Sobre conversão entre sistemas de numeração usados nos sistemas digitais, apenas uma das operações numéricas abaixo está incorreta:

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14149Ca
05

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(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - Assinale a alternativa que apresenta a correta passagem para a voz passiva da primeira frase do texto, transcrita a seguir, O Brasil vem construindo grandes empreendimentos hidrelétricos desde o começo dos anos 1960.

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14130Ca
06

(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - As afirmativas abaixo se referem a transistores de efeito de campo (FET)

I. O JFET (Junction Field Effect Transistor) é um dispositivo unipolar.

II. O MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) não é usado na integração de circuitos integrados, devido seu tamanho.

III. A tecnologia FET de fabricação de transistores tem a vantagem de produzir componentes com alta impedância de entrada.

IV. Os transistores FET só funcionam quando a tensão aplicada entre porta e fonte UGS for igual a zero volts.

Quais estão corretas?

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14146Ca
07

(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - As alternativas abaixo identificam tipos de osciladores. Assinale a única que está incorreta:

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14148Ca
08

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(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - Assinale a alternativa que não pode substituir haja vista (linha 28) sob pena de provocar dano estrutural ao texto.

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14132Ca
09

(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - Apenas uma das alternativas abaixo não corresponde a um método de conversão digitalanalógica:

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14161Ca
10

(FUNDATEC - 2010 - CEEE/D - Engenheiro eletrônico) - Referindo-se a sistemas de medição é correto afirmar que:

I. Transdutor é um componente que sente um tipo de variável física e converte em outro, normalmente em sinal elétrico.

II. Os sensores que funcionam pelo princípio mecânico necessitam de contato para serem acionados.

III. O efeito piezoelétrico é a propriedade de certos cristais de produzirem um potencial elétrico ao serem submetidos à pressão mecânica.

IV. O efeito termoresistivo refere-se à propriedade de certos materiais emitirem calor quando submetidos à passagem de corrente elétrica.

Quais estão corretas?

  1. a
  2. b
  3. c
  4. d
  5. e
Código da questão
Q14157Ca